《中国科学基金》

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Science Foundation in China

自然科学进展

Progress in Natural Science
 

《中国科学基金》
 

 
新型器件及其超薄层异质外延材料和表面、界面研究
王占国,陈维德
中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京100083,中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,北京100083
摘要:   随着分子束外延(MBE)、化学束外延(CBE)以及金属有机物化学汽相沉积(MOCVD)等超薄层生长技术的发展,人们已经成功地生长出原子级厚度和原子级平整的优质异质结构外延材料。以此为基础,研制成功多种新一代半导体光电子和微电子器件,如:量子阱激光器、高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶晶体管(HBT)等。这些器件不仅大大促进了国防电子工程技术的发展(如雷达、导弹),而且在超高速计算机、卫星通讯和电视接收等方面也有重要应用。超薄层外延材料具有许多新颖的物理特性,已成为凝聚态物理研究前沿领域之一。随着器件尺寸的减小,表面和界面效应越来越突出,并严重影响器件性能。因此,利用现代表面分析技术,从原子尺度上了解超薄层材料生长机理,及器件表面和界面的物理特性,有利于新型材料和器件的发展。三年来,我们在此领域做了许多深入研究,取得了一批具有较高学术价值和应用价值的研究成果。
关键词:  分子束外延,表面钝化,CaAs欧姆接触,界面物理,异质结双极晶晶体管,高电子迁移率晶体管
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